সব পণ্য
-
মিঃ প্যাট্রিকদ্রুত প্রতিক্রিয়া এবং গ্রাহকের চাহিদার সম্পূর্ণ বোধগম্যতা, ভাল পরিষেবার মনোভাব, আমরা আপনার পরিষেবার সাথে একমত। -
মিঃ হ্যারিসনগুরুতর সেবা মনোভাব, সেইসাথে উচ্চ মানের পণ্য সকলের আস্থা প্রাপ্য.
-
আনাএটি একটি নিখুঁত ক্রয়. আপনার কোম্পানির প্রতিযোগিতামূলক মূল্য এবং মানসম্পন্ন পণ্য অফার করার ক্ষমতা খুবই চিত্তাকর্ষক।
ব্যক্তি যোগাযোগ :
will
ফোন নম্বর :
13418952874
IRF7480MTRPBF প্রতিরোধক ডায়োড ট্রানজিস্টর N-চ্যানেল 40V 217A C 96W Tc DirectFET Isometric ME
| উৎপত্তি স্থল | যুক্তরাষ্ট্র |
|---|---|
| পরিচিতিমুলক নাম | Infineon Technologies |
| সাক্ষ্যদান | RoHS |
| মডেল নম্বার | IRF7480MTRPBF |
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ | 4800 পিসিএস |
| মূল্য | Negotiable |
| প্যাকেজিং বিবরণ | 4800PCS/টিউব |
| ডেলিভারি সময় | 2-3 দিন |
| পরিশোধের শর্ত | L/C, D/A, D/P, T/T |
| যোগানের ক্ষমতা | 45K পিসিএস |
Contact me for free samples and coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
If you have any concern, we provide 24-hour online help.
xপণ্যের বিবরণ
| শ্রেণী | একক FET, MOSFETs | Mfr | ইনফাইনন টেকনোলজিস |
|---|---|---|---|
| সিরিজ | HEXFET®, StrongIRFET™ | FET প্রকার | এন-চ্যানেল |
| প্রযুক্তি | MOSFET (ধাতু অক্সাইড) | ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) | 40 ভি |
| বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে | 217A (Tc) | ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু) | 6V, 10V |
| Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস | 1.2mOhm @ 132A, 10V | Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি | 3.9V @ 150µA |
| গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস | 185 nC @ 10 V | ভিজিএস (সর্বোচ্চ) | ±20V |
| ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds | 6680 pF @ 25 ভি | শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ) | 96W (Tc) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C ~ 150°C (TJ) | মাউন্ট টাইপ | গুফ |
| সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | DirectFET™ আইসোমেট্রিক ME | ||
| লক্ষণীয় করা | 40V 217A C 96W Tc DirectFET Isometrics IRF7480MTRPBF,40V C 96W Tc DirectFET Isometrics IRF7480MTRPBF,IRF7480MTRPBF 40V C 96W Tc DirectFET আইসোমেট্রিক্স |
||
পণ্যের বর্ণনা
IRF7480MTRPBF N-Channel 40 V 217A (Tc) 96W (Tc) সারফেস মাউন্ট DirectFET™ আইসোমেট্রিক ME
বৈশিষ্ট্য:
| শ্রেণী | একক FET, MOSFETs |
| Mfr | ইনফাইনন টেকনোলজিস |
| FET প্রকার | এন-চ্যানেল |
| প্রযুক্তি | MOSFET (ধাতু অক্সাইড) |
| ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) | 40 ভি |
| বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25ﾂｰC | 217A (Tc) |
| ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু) | 6V, 10V |
| Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস | 1.2mOhm @ 132A, 10V |
| Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি | 3.9V @ 150µক |
| গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস | 185 nC @ 10 V |
| ভিজিএস (সর্বোচ্চ) | ±20V |
| ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds | 6680 pF @ 25 ভি |
| শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ) | 96W (Tc) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°সে~ 150°সে(টিজে) |
| মাউন্ট টাইপ | গুফ |
| সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | DirectFET Isometric ME |
| বেস পণ্য নম্বর | IRF7480 |
অতিরিক্ত সম্পদ
| অ্যাট্রিবিউট | বর্ণনা |
| অন্য নামগুলো | IRF7480MTRPBFCT |
| IRF7480MTRPBF-ND | |
| IRF7480MTRPBFTR | |
| SP001566252 | |
| IRF7480MTRPBFDKR | |
| মান প্যাকেজ | 4800 |
ডেটা ছবি:https://www.infineon.com/dgdl/irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30
|
±
|
প্রস্তাবিত পণ্য