সব পণ্য
-
মিঃ প্যাট্রিকদ্রুত প্রতিক্রিয়া এবং গ্রাহকের চাহিদার সম্পূর্ণ বোধগম্যতা, ভাল পরিষেবার মনোভাব, আমরা আপনার পরিষেবার সাথে একমত। -
মিঃ হ্যারিসনগুরুতর সেবা মনোভাব, সেইসাথে উচ্চ মানের পণ্য সকলের আস্থা প্রাপ্য.
-
আনাএটি একটি নিখুঁত ক্রয়. আপনার কোম্পানির প্রতিযোগিতামূলক মূল্য এবং মানসম্পন্ন পণ্য অফার করার ক্ষমতা খুবই চিত্তাকর্ষক।
ব্যক্তি যোগাযোগ :
will
ফোন নম্বর :
13418952874
IRFB7434PBF N চ্যানেল Mosfet Ic 40 V 195A Tc 294W Tc থ্রু হোল TO-220AB
| উৎপত্তি স্থল | যুক্তরাষ্ট্র |
|---|---|
| পরিচিতিমুলক নাম | Infineon Technologies |
| সাক্ষ্যদান | RoHS |
| মডেল নম্বার | IRFB7434PBF |
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ | 50 পিসি |
| মূল্য | Negotiable |
| প্যাকেজিং বিবরণ | 50 পিসিএস/টিউব |
| ডেলিভারি সময় | 2-3 দিন |
| পরিশোধের শর্ত | L/C, D/A, D/P, T/T |
| যোগানের ক্ষমতা | 20K PCS |
Contact me for free samples and coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
If you have any concern, we provide 24-hour online help.
xপণ্যের বিবরণ
| বিভাগ | একক FET, MOSFETs | Mfr | ইনফাইনন টেকনোলজিস |
|---|---|---|---|
| সিরিজ | HEXFET®, StrongIRFET™ | পণ্যের অবস্থা | সক্রিয় |
| FET প্রকার | এন-চ্যানেল | প্রযুক্তি | MOSFET (ধাতু অক্সাইড) |
| ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) | 40V | বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে | 195A (Tc) |
| ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু) | 6V, 10V | Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি | 3.9V @ 250µA | গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস | 324 nC @ 10 V |
| ভিজিএস (সর্বোচ্চ) | ±20V | ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds | 10820 pF @ 25 ভি |
| শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ) | 294W (Tc) | অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| মাউন্ট টাইপ | গর্তের দিকে | সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | TO-220AB |
| লক্ষণীয় করা | mosfet n চ্যানেল লজিক স্তর,n চ্যানেল mosfet ic,থেকে 220ab mosfet |
||
পণ্যের বর্ণনা
IRFB7434PBF N-চ্যানেল 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) হোল TO-220AB এর মাধ্যমে
বৈশিষ্ট্য:
| শ্রেণী | একক FET, MOSFETs |
| Mfr | ইনফাইনন টেকনোলজিস |
| পণ্যের অবস্থা | সক্রিয় |
| FET প্রকার | এন-চ্যানেল |
| প্রযুক্তি | MOSFET (ধাতু অক্সাইড) |
| ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) | 40 ভি |
| বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25°গ | 195A (Tc) |
| ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু) | 6V, 10V |
| Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি | 3.9V @ 250µA |
| গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস | 324 nC @ 10 V |
| ভিজিএস (সর্বোচ্চ) | ±20V |
| ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds | 10820 pF @ 25 ভি |
| শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ) | 294W (Tc) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°গ ~ 175°সি (টিজে) |
| মাউন্ট টাইপ | গর্তের দিকে |
| সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | TO-220AB |
| প্যাকেজ/কেস | TO-220-3 |
অতিরিক্ত সম্পদ
| অ্যাট্রিবিউট | বর্ণনা |
| অন্য নামগুলো | এসপি001575514 |
| 2156-IRFB7434PBF | |
| IFEINFIRFB7434PBF | |
| মান প্যাকেজ | 50 |
ডেটা ছবি:https://www.infineon.com/dgdl/irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a43e1e55
|
±
|
প্রস্তাবিত পণ্য